[한국대학신문 박인규 기자] 숭실대학교(총장 이윤재) 신소재공학과 이웅규 교수 연구팀이 차세대 DRAM 메모리 소자의 성능 향상에 기여할 수 있는 박막 공정 기술을 개발하며 국제 학술지에서 연구 성과를 인정받았다.연구팀은 DRAM 메모리의 핵심 부품인 커패시터 성능을 개선하기 위해 원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공정을 기반으로 한 박막 형성 기술을 제시했다고 밝혔다.이번 연구는 ALD 공정 초기 단계에서 발생하는 계면 반응과 산화 현상을 정밀하게 제어하는 방식에 초점을 맞췄다. 연구팀은 박막 형성
