숭실대학교(총장 이윤재)는 전자정보공학부 유건욱 교수 연구팀이 차세대 갈륨 나이트라이드(GaN) 기반 메모리 소자를 개발하고, 연구 성과를 세계적 권위지 ‘IEEE Electron Device Letters’에 게재했다고 밝혔다.AI 시대의 데이터센터는 고성능 연산과 저전력 구동이 필수적이며, 이를 위한 핵심 기술로 고전압·고효율 특성을 지닌 GaN 반도체가 주목받고 있다. 숭실대 연구팀은 기존 GaN 반도체의 집적도 한계를 극복하기 위해 새로운 소자 구조에 강유전성 AlScN 신소재를 결합, 신뢰
